鎢是一種具有高傳導(dǎo)性的金屬元素，在半導(dǎo)體制造中，常被用作金屬層間的通孔（Via）和垂直接觸的接觸孔（Contact）的填充。基本上，集成電路是由數(shù)層材質(zhì)不同的薄膜組成，

      而使這些薄膜覆蓋在半導(dǎo)體器件上的技術(shù)，就是所謂的薄膜沉積技術(shù)。薄膜沉積技術(shù)一般有CVD（化學(xué)氣相沉積）和PVD（物理氣相沉積），鎢一般采用CVD（化學(xué)氣相淀積）法來沉積。隨著半導(dǎo)體器件特征尺寸越來越小，對鎢粉的薄膜填孔能力的要求也越來越高。因此，如何提高金屬鎢粉的填孔能力變得越來越有意義。

      經(jīng)研究發(fā)現(xiàn)，在鎢的CVD技術(shù)中，通過改變以下幾點(diǎn)可以較好的提高鎢在半導(dǎo)體制造中的填孔能力：

1）增加半導(dǎo)體材料浸泡的壓力和時間。半導(dǎo)體材料浸泡的壓力越大，時間越長，鎢的填孔能力越強(qiáng)；

2）增加快速沉積WF6/H2比率及反應(yīng)室壓力。WF6/H2比率越大，反應(yīng)壓力越大，鎢的填孔能力也越強(qiáng)；

3）增加預(yù)熱的壓力。預(yù)熱的壓力越大，鎢的填孔能力越強(qiáng)；

4）增加成核時的WF6/SiH4比率，WF6，SiH4占的分壓及反應(yīng)室的總壓力。WF6/SiH4比率越大，WF6，SiH4占的分壓越大， 反應(yīng)室的總壓力越大，鎢的填孔能力也越強(qiáng)；

5）降低加熱器的溫度。加熱器反應(yīng)的溫度越低，理論上反應(yīng)速度越慢，鎢的填孔能力也越強(qiáng)。